業(yè)界首個！美光發(fā)布232層3DNAND閃存技術(shù)
近日，美光公司發(fā)布了業(yè)界首個具有232層的3D NAND閃存，并宣布該技術(shù)將會投入包括SSD在內(nèi)的多種產(chǎn)品。
據(jù)悉，這種232層的3D NAND閃存采用3D TLC架構(gòu)，原始容量為1Tb(128GB);芯片基于美光的CuA架構(gòu)，并使用NAND的字符串堆疊技術(shù)。
CuA架構(gòu)的設(shè)計，配合232層的高堆疊，有效減少了1Tb 3D TLC NAND閃存的芯片尺寸，有望降低產(chǎn)品的生產(chǎn)成本，提升競爭力。
美光目前并未宣布232層3D TLC NAND IC的I/O速度或平面數(shù)量，但從透露的信息來看，新的內(nèi)存應(yīng)該會提供更高的性能，這對采用PCIe 5.0接口的下一代SSD來說，無疑是一個好消息。
在具體的產(chǎn)品層面上，美光的技術(shù)和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁Scott DeBoer稱，公司目前已經(jīng)與第三方NAND控制器開發(fā)者達成合作，從而實現(xiàn)對新型內(nèi)存的支持。
此外，美光表示，預(yù)計將在2022年底開始生產(chǎn)232層3D TLC NAND閃存，按此計劃，采用這種新技術(shù)的SSD應(yīng)該會在明年與用戶見面。
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